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YGLN05-0812C1
主要特性

关键技术指标

 

工作频段: 8GHz to 12 GHz

射频增益: 25dB

增益平坦度: ±0.8dB

输出 P1dB=20dBm

噪声系数:1.35dB

供电方式:62mA @ +5V

输入/出匹配阻抗:50Ω

芯片尺寸:3.70mm x 1.00mm



描述

YGLN05-0812C1 是一款高性能氮化镓低噪放 MMIC芯片 ,工作频率为X波段。

YGLN05-0812C1 通带内噪声系数为 1.35dB,射频增益是25dB ;广泛应用于雷达、电信通讯、仪器仪表等领域。

该芯片采用0.1μm 硅基氮化镓pHEMT工艺制造,满足航天级应用。


应用领域

通讯

卫星通讯


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Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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