YLN04-0812C1
主要特性
■ 工作频率范围 : 8 GHz to 12 GHz
■ 噪声系数 : 1.1 dB
■ 射频增益 : 32 dB
■ P1dB输出功率 : 10 dBm
■ 输入回波损耗 : > 15 dB
■ 输出回波损耗 : > 15 dB
■ 芯片总功耗 : 55 mA @ 5 V
■ 芯片尺寸 = 2.5 mm x 2.0 mm
■ 100%电性能测试
■ 目检合格Known Good Die (KGD)
描述
YLN04-0812C1是一款K波段高性能砷化镓工艺低噪声放大器MMIC芯片。其噪声系数低至1.1dB，通带内射频增益达32dB，芯片通带内的输入回波损耗为15dB、输出回波损耗为15dB；被广泛应用于通信和仪器仪表领域。
YLN04-0812C1采用OMMIC特有的全球领先70nm栅宽高掺铟mHEMT工艺技术（D01PH工艺*）生产制备；同时，芯片采用了金材质焊盘设计、背面金属化和全局氮化硅钝化层保护，以达到最高等级可靠性。
*D01PH工艺已通过宇航级认证，被欧洲宇航局收录入欧洲首选器件列表（the European Preferred Parts List，EPPL）。
应用领域
■ 电信通信系统
■ 仪器仪表领域
