YLN07-0713C1
主要特性
■ 工作频率范围 : 7.5 GHz to 13 GHz
■ 单边供电
■ 噪声系数 : 1.6 dB
■ 射频增益 > 16 dB
■ 增益平坦度 : +/-0.8 dB
■ P1dB输出功率 : 17 dBm
■ 输入端口耐受功率 : 21dBm CW / 31dBm 10us 10% pulse
■ 三阶截获(TOI)点功率 : 29 dBm
■ 输入回波损耗 : 12 dB
■ 输出回波损耗 : 15 dB
■ 供电方式 : 82 mA @ 5V
■ 封装形式 : QFN 4*4mm 24 Leads
■ 满足航天级和美军标
■ 100%电性能测试
■ 目检合格Known Good Die (KGD）
描述
YLN07-0713C1是一款X波段高性能单边供电砷化镓工艺塑封（QFN形式）低噪声放大器MMIC芯片；其噪声系数低至1.6dB，通带内射频增益最小值为16dB。芯片通带内的输入回波损耗为12dB、输出回波损耗为12dB；被广泛应用于通信和仪器仪表领域。
YLN07-0713C1采用OMMIC特有的全球领先0.13nm栅宽pHEMT工艺技术（D01PH工艺*）生产制备；同时，芯片采用了金材质焊盘设计、背面金属化和全局氮化硅钝化层保护，以达到最高等级可靠性。
*D01PH工艺已通过宇航级认证，被欧洲宇航局收录入欧洲首选器件列表（the European Preferred Parts List，EPPL）。
应用领域
■ 电信通信系统
■ 仪器仪表领域
