YLN09-1315C1
主要特性
■ 工作频率范围 : 13 GHz to 15 GHz
■ 噪声系数 1.5 dB at 14 GHz
■ 射频增益 : 25 dB at 14 GHz
■ P1dB输出功率 : 8 dBm
■ 输出三次谐波IP3 : 17 dBm
■ 输入回波损耗 : > 11 dB at 14 GHz
■ 输出回波损耗 : > 20 dB at 14 GHz
■ 芯片总功耗 : 20 mA at 3.3 V
■ 单边正偏供电
■ 芯片尺寸 = 2.2 mm x 1.1 mm
■ 满足航天级和美军标
■ 100%电性能测试
■ 目检合格Known Good Die (KGD)
描述
YLN09-1315C1是一款Ku频段高性能砷化镓工艺低噪声放大器MMIC芯片；其噪声系数低至1.5dB，通带内射频增益达25dB，芯片总功耗仅有60mW。芯片通带内的输入回波损耗为11dB、输出回波损耗为11dB（at 14GHz）；被广泛应用于通信和仪器仪表领域。
YLN09-1315C1采用OMMIC特有的全球领先0.13μm栅宽pHEMT工艺技术（D01PH工艺*）生产制备；同时，芯片采用了金材质焊盘设计、背面金属化和全局氮化硅钝化层保护，以达到最高等级可靠性。
*D01PH工艺已通过宇航级认证，被欧洲宇航局收录入欧洲首选器件列表（the European Preferred Parts List，EPPL）。
应用领域
■ 电信通信系统
■ 仪器仪表领域
