YLN12-1826C1
主要特性
■ 工作频率范围 : 18 to 26 GHz
■ 增益平坦度: 19dB (+/-0.4dB) overall bandwidth
■ 噪声系数: < 1.5 dB on overall bandwidth (1.2dB at 22GHz)
■ 单边正/负偏压 (+ and -1.5V)
■ 较低芯片总功耗
■ P1dB输出功率 : > 5dBm ( 7dBm@22GHz)
■ 输入端口耐受功率 : Max +19dBm CW Input power
■ 输入/输出匹配阻抗： 50 Ohms
■ 输入回波损耗: > 12 dB at 22GHz
■ 输出回波损耗: > 11 dB at 22GHz
■ 芯片尺寸 = 1.5 x 2.0 mm
■ 满足航天级和美军标
■ 100%电性能测试
■ 目检合格Known Good Die (KGD）
描述
YLN12-1826C1是一款K波段高性能砷化镓工艺低噪声放大器MMIC芯片；该芯片具有超低噪声系数：1.2dB，以及极为平坦的射频增益：19dB（增益平坦度：± 0.4dB）。芯片通带内的输入回波损耗为12dB、输出回波损耗为11dB；由于芯片在全温范围内增益和噪声系数非常稳定，被广泛应用于通信和仪器仪表领域。
YLN12-1826C1采用OMMIC行业领先的70nm栅宽高掺铟mHEMT工艺生产制备；同时，芯片采用了金材质焊盘设计、背面金属化和全局氮化硅钝化层保护，以达到最高等级可靠性。
应用领域
■ 电信通信系统
■ 仪器仪表领域
