SEMICOM(R)  CHINA 2017于2017年3月14日到16日，在上海新国际博览中心成功举行。展会期间，OMMIC龙8游戏手机网页登录LEBLANC  Remy先生在SEMICOM CHINA 2017发表了名为《A  Multipurpose Millimeter Wave High Power and Low Noise GaN/Si Process for High  Frequency Transmit-Receive MMICs》主题演讲。

OMMIC致力于III-V族化合物工艺的开发与先进MMIC的设计与制造，当前开发出微波应用领域的Si基GaN工艺。该工艺不仅具有和0.13μm  pHEMT工艺一致的噪声系数、增益和工作频率范围，更能够提供更高的输出功率。

通过一系列优化设计，OMMIC使用该工艺试制出单片10W  30GHz的功率放大器芯片、X波段噪声系数达1.2dB的低噪声放大器。

OMMIC  Si基GaN工艺同样适用于高性能T/R芯片（单片内集成PA、LNA、开关）的生产制造，来满足安防、空天和商用5G的高频应用场景。 

LEBLANC  Remy先生在演讲中